FDMA8878 , N沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=30 V, 6针 MicroFET封装

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Packaging Options:
RS 库存编号:
806-3481P
制造商零件编号:
FDMA8878
制造商:
Fairchild Semiconductor
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品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

21 mΩ

最小栅阈值电压

1.2V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

MLP

安装类型

表面贴装

晶体管配置

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.4 W

典型栅极电荷@Vgs

8.5 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

6 ns

晶体管材料

Si

尺寸

2 x 2 x 0.725mm

最高工作温度

+150 °C

系列

PowerTrench

高度

0.725mm

长度

2mm

正向跨导

41S

每片芯片元件数目

1

宽度

2mm

正向二极管电压

1.2V

典型输入电容值@Vds

539 pF @ 15 V

典型关断延迟时间

14 ns

COO (Country of Origin):
MY