Fairchild Semiconductor N沟道增强型MOSFET管, Vds=25 V, 17 A, Power 33, 贴片安装, 8引脚, FDMC7582
- RS 库存编号:
- 806-3494P
- 制造商零件编号:
- FDMC7582
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
RMB152.15
(不含税)
RMB171.93
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB15.215 |
| 20 - 98 | RMB14.915 |
| 100 - 198 | RMB12.405 |
| 200 + | RMB12.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3494P
- 制造商零件编号:
- FDMC7582
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 封装类型 | Power 33 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 52 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V，9.5 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
封装类型 Power 33 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 7.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 52 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V，9.5 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 3.3mm | ||
高度 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY