onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 30 A, Power 56, 贴片安装, 8引脚, FDMS8018
- RS 库存编号:
- 806-3513P
- 制造商零件编号:
- FDMS8018
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB9.028 |
| 50 - 245 | RMB8.85 |
| 250 - 495 | RMB7.10 |
| 500 + | RMB6.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3513P
- 制造商零件编号:
- FDMS8018
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.7 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 6.25mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 4.5 V，58 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 2.7 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 83 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 6.25mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V，58 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.05mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY