onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, Power 56, 贴片安装, 8引脚, FDMS9620S
- RS 库存编号:
- 806-3535
- 制造商零件编号:
- FDMS9620S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB83.74
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB8.374 | RMB83.74 |
| 50 - 90 | RMB8.21 | RMB82.10 |
| 100 - 490 | RMB5.907 | RMB59.07 |
| 500 - 990 | RMB5.357 | RMB53.57 |
| 1000 + | RMB4.59 | RMB45.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3535
- 制造商零件编号:
- FDMS9620S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A, 10 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | PowerTrench, SyncFET | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ, 32 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V，18 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.5 A, 10 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 PowerTrench, SyncFET | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 22 mΩ, 32 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
晶体管配置 串行 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V，18 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.75mm | ||