onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 4.5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FDP5N50NZ
- RS 库存编号:
- 806-3560P
- 制造商零件编号:
- FDP5N50NZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 25 件 (按管提供)*
RMB186.50
(不含税)
RMB210.75
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB7.46 |
| 50 - 245 | RMB6.512 |
| 250 - 495 | RMB5.434 |
| 500 + | RMB4.664 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3560P
- 制造商零件编号:
- FDP5N50NZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 系列 | UniFET | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 78 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 16.3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
系列 UniFET | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 1.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 78 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10.67mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V | ||
宽度 4.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 16.3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY