onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 18 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FDPF18N20FT
- RS 库存编号:
- 806-3591
- 制造商零件编号:
- FDPF18N20FT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.00 | RMB55.00 |
| 25 - 45 | RMB8.50 | RMB42.50 |
| 50 - 245 | RMB7.326 | RMB36.63 |
| 250 - 495 | RMB6.204 | RMB31.02 |
| 500 + | RMB5.302 | RMB26.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3591
- 制造商零件编号:
- FDPF18N20FT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 系列 | UniFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 41 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
系列 UniFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 41 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.36mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.9mm | ||
高度 16.07mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||