FDS3890, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 4.7 A, Vds=80 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 806-3630
- 制造商零件编号:
- FDS3890
- 制造商:
- onsemi
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB59.00
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RMB66.65
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.80 | RMB59.00 |
| 25 - 45 | RMB9.262 | RMB46.31 |
| 50 - 245 | RMB9.08 | RMB45.40 |
| 250 - 495 | RMB7.25 | RMB36.25 |
| 500 + | RMB6.63 | RMB33.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3630
- 制造商零件编号:
- FDS3890
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.7 | |
| 最大漏源电压 Vd | 80 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 0.74 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 4.9 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.575 | |
| 宽度 | 3.9 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.7 | ||
最大漏源电压 Vd 80 | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 2 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 0.74 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 4.9 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.575 | ||
宽度 3.9 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||