FDS8960C, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 806-3683P
- 制造商零件编号:
- FDS8960C
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB179.25
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RMB202.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB7.17 |
| 50 - 245 | RMB6.908 |
| 250 - 495 | RMB5.71 |
| 500 + | RMB4.928 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3683P
- 制造商零件编号:
- FDS8960C
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A，7 A | |
| 最大漏源电压 | 35 V | |
| 最大漏源电阻值 | 37 mΩ，87 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、-20 V、+20 V、+25 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W，2 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns、23 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 540 pF@ -15 V, 570 pF@ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.5 nC @ 5 V，5.7 nC @ 5 V | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns、12 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 1.575mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 5 A，7 A | ||
最大漏源电压 35 V | ||
最大漏源电阻值 37 mΩ，87 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -25 V、-20 V、+20 V、+25 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1.6 W，2 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 3.9mm | ||
典型关断延迟时间 20 ns、23 ns | ||
典型输入电容值@Vds 540 pF@ -15 V, 570 pF@ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.5 nC @ 5 V，5.7 nC @ 5 V | ||
长度 4.9mm | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8 ns、12 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 1.575mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY