FDY2000PZ, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 0.35 A, Vds=-20 V, 6针 SC-89封装
- RS 库存编号:
- 807-0726
- 制造商零件编号:
- FDY2000PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB60.725
(不含税)
RMB68.625
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.429 | RMB60.73 |
| 125 - 225 | RMB1.408 | RMB35.20 |
| 250 - 1225 | RMB1.38 | RMB34.50 |
| 1250 - 2475 | RMB0.938 | RMB23.45 |
| 2500 + | RMB0.92 | RMB23.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-0726
- 制造商零件编号:
- FDY2000PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.7 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-523 (SC-89) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 625 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 100 pF @ -10 V | |
| 宽度 | 1.2mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.2 x 0.6mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 350 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 2.7 Ω | ||
最小栅阈值电压 0.65V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-523 (SC-89) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 625 mW | ||
典型关断延迟时间 8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 100 pF @ -10 V | ||
宽度 1.2mm | ||
尺寸 1.7 x 1.2 x 0.6mm | ||
高度 0.6mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.7mm | ||