IRFP7530PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 195 A，281 A, Vds=60 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 807-1558P
- 制造商零件编号:
- IRFP7530PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计 20 件 (按管提供)*
RMB617.80
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RMB698.20
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB30.89 |
| 50 - 148 | RMB27.48 |
| 150 - 198 | RMB19.36 |
| 200 + | RMB16.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-1558P
- 制造商零件编号:
- IRFP7530PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 195 A，281 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 13703 pF @ V @ 25 | |
| 典型关断延迟时间 | 172 ns | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 274 nC @ 10 | |
| 典型接通延迟时间 | 52 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 195 A，281 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 2 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 375 W | ||
典型输入电容值@Vds 13703 pF @ V @ 25 | ||
典型关断延迟时间 172 ns | ||
宽度 5.31mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 20.7mm | ||
系列 StrongIRFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 15.87mm | ||
尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 274 nC @ 10 | ||
典型接通延迟时间 52 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- MX