FQN1N50CTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.38 A, Vds=500 V, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 807-5866P
- 制造商零件编号:
- FQN1N50CTA
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 180 | RMB1.53 |
| 200 - 980 | RMB1.50 |
| 1000 - 1980 | RMB1.16 |
| 2000 + | RMB0.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-5866P
- 制造商零件编号:
- FQN1N50CTA
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 380 mA | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.08 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.19mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.9 nC @ 10 V | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 150 pF @ 25 V | |
| 尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | |
| 系列 | QFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 380 mA | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.08 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.19mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.9 nC @ 10 V | ||
长度 5.2mm | ||
高度 5.33mm | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
典型输入电容值@Vds 150 pF @ 25 V | ||
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm | ||
系列 QFET | ||