onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.1 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FQPF11P06
- RS 库存编号:
- 807-5885
- 制造商零件编号:
- FQPF11P06
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB55.20
(不含税)
RMB62.40
(含税)
有库存
- 320 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.52 | RMB55.20 |
| 50 - 90 | RMB5.247 | RMB52.47 |
| 100 - 490 | RMB4.39 | RMB43.90 |
| 500 - 990 | RMB3.949 | RMB39.49 |
| 1000 + | RMB3.06 | RMB30.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-5885
- 制造商零件编号:
- FQPF11P06
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 6.1 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 175 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 6.1 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
系列 QFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 175 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 30 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
长度 10.36mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.9mm | ||
高度 16.07mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||