onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 3.9 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FQPF9P25
- RS 库存编号:
- 807-5923P
- 制造商零件编号:
- FQPF9P25
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 25 件 (按管提供)*
RMB173.75
(不含税)
RMB196.25
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB6.95 |
| 50 - 245 | RMB6.358 |
| 250 - 495 | RMB5.06 |
| 500 + | RMB4.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-5923P
- 制造商零件编号:
- FQPF9P25
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 620 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
系列 QFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 620 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 50 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.9mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.36mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 16.07mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||