onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.7 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, FQT7N10TF
- RS 库存编号:
- 807-5932
- 制造商零件编号:
- FQT7N10TF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB54.90
(不含税)
RMB62.04
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.745 | RMB54.90 |
| 100 - 180 | RMB1.848 | RMB36.96 |
| 200 - 980 | RMB1.815 | RMB36.30 |
| 1000 - 1980 | RMB1.43 | RMB28.60 |
| 2000 + | RMB1.408 | RMB28.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-5932
- 制造商零件编号:
- FQT7N10TF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | QFET | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 QFET | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 350 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 2 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 10 V | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.7mm | ||