onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 75 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HUF75344G3
- RS 库存编号:
- 807-6670
- 制造商零件编号:
- HUF75344G3
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB41.80
(不含税)
RMB47.24
(含税)
有库存
- 另外 80 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB20.90 | RMB41.80 |
| 10 - 18 | RMB16.90 | RMB33.80 |
| 20 - 98 | RMB15.51 | RMB31.02 |
| 100 - 198 | RMB12.43 | RMB24.86 |
| 200 + | RMB11.11 | RMB22.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-6670
- 制造商零件编号:
- HUF75344G3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75 | |
| 最大漏源电压 Vd | 55 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | UltraFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 285 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 175 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87 | |
| 高度 | 20.82 | |
| 宽度 | 4.82 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75 | ||
最大漏源电压 Vd 55 | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 UltraFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 285 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 175 | ||
最高工作温度 175 | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87 | ||
高度 20.82 | ||
宽度 4.82 | ||
汽车标准 否 | ||