onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 35 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HUF75321P3
- RS 库存编号:
- 807-6673
- 制造商零件编号:
- HUF75321P3
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
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RMB56.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.62 | RMB56.20 |
| 50 - 90 | RMB5.137 | RMB51.37 |
| 100 - 490 | RMB4.345 | RMB43.45 |
| 500 - 990 | RMB3.729 | RMB37.29 |
| 1000 + | RMB3.113 | RMB31.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-6673
- 制造商零件编号:
- HUF75321P3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35 | |
| 最大漏源电压 Vd | 55 | |
| 系列 | UltraFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 93 | |
| 正向电压 Vf | 1.25 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 16.3 | |
| 长度 | 10.67 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 35 | ||
最大漏源电压 Vd 55 | ||
系列 UltraFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 93 | ||
正向电压 Vf 1.25 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 16.3 | ||
长度 10.67 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7 | ||
汽车标准 否 | ||