onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 75 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HUF75344P3
- RS 库存编号:
- 807-6689
- 制造商零件编号:
- HUF75344P3
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB83.50
(不含税)
RMB94.35
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB16.70 | RMB83.50 |
| 25 - 45 | RMB13.60 | RMB68.00 |
| 50 - 245 | RMB12.012 | RMB60.06 |
| 250 - 495 | RMB9.878 | RMB49.39 |
| 500 + | RMB8.624 | RMB43.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-6689
- 制造商零件编号:
- HUF75344P3
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | UltraFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 285 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 175 nC @ 20 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 16.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 UltraFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 285 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 175 nC @ 20 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 16.3mm | ||