Fairchild Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 56 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HUF75639G3
- RS 库存编号:
- 807-6692P
- 制造商零件编号:
- HUF75639G3
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB156.00
(不含税)
RMB176.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB15.60 |
| 20 - 98 | RMB14.30 |
| 100 - 198 | RMB11.495 |
| 200 + | RMB10.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-6692P
- 制造商零件编号:
- HUF75639G3
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 56 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 系列 | UltraFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 20 V | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 56 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
系列 UltraFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 200 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 20 V | ||
长度 15.87mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.82mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 20.82mm | ||