NTRV4101PT1G , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.7 A, Vds=-20 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 808-0039P
- 制造商零件编号:
- NTRV4101PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 200 件 (以卷装提供)*
RMB270.80
(不含税)
RMB306.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 400 | RMB1.354 |
| 500 - 900 | RMB1.249 |
| 1000 - 1900 | RMB1.159 |
| 2000 + | RMB1.082 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-0039P
- 制造商零件编号:
- NTRV4101PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 112 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 30.2 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 675 pF @ -10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 112 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.25 W | ||
典型接通延迟时间 7.5 ns | ||
典型关断延迟时间 30.2 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.04mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.01mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
典型输入电容值@Vds 675 pF @ -10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||