NTR1P02LT3G , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.3 A, Vds=-20 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 808-0060
- 制造商零件编号:
- NTR1P02LT3G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 200 件）*
RMB162.20
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RMB183.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | RMB0.811 | RMB162.20 |
| 400 - 800 | RMB0.738 | RMB147.60 |
| 1000 - 1800 | RMB0.678 | RMB135.60 |
| 2000 - 3800 | RMB0.641 | RMB128.20 |
| 4000 + | RMB0.58 | RMB116.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-0060
- 制造商零件编号:
- NTR1P02LT3G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.3 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.25V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 400 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 225 pF @ -5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.3 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 350 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.25V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 400 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1.01mm | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.1 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 225 pF @ -5 V | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||