NTF6P02T3G , P沟道 MOSFET 晶体管, 8.4 A, Vds=-20 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 808-4138
- 制造商零件编号:
- NTF6P02T3G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB47.78
(不含税)
RMB54.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB2.389 | RMB47.78 |
| 40 - 80 | RMB2.342 | RMB46.84 |
| 100 - 180 | RMB2.296 | RMB45.92 |
| 200 - 480 | RMB2.251 | RMB45.02 |
| 500 + | RMB2.207 | RMB44.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-4138
- 制造商零件编号:
- NTF6P02T3G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.4 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20 | |
| 系列 | NTF6P02 | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 最大功耗 Pd | 8.3 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.65 | |
| 宽度 | 3.7 | |
| 长度 | 6.7 | |
| 汽车标准 | AEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 8.4 | ||
最大漏源电压 Vd 20 | ||
系列 NTF6P02 | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 8 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
最大功耗 Pd 8.3 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.65 | ||
宽度 3.7 | ||
长度 6.7 | ||
汽车标准 AEC | ||