FQA28N15 , N沟道 MOSFET 晶体管, 132 A, Vds=150 V, 3针 TO-3PN封装
- RS 库存编号:
- 808-8985
- 制造商零件编号:
- FQA28N15
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB62.50
(不含税)
RMB70.60
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB12.50 | RMB62.50 |
| 25 - 45 | RMB10.302 | RMB51.51 |
| 50 - 245 | RMB10.10 | RMB50.50 |
| 250 - 495 | RMB8.10 | RMB40.50 |
| 500 + | RMB7.08 | RMB35.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-8985
- 制造商零件编号:
- FQA28N15
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 227 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1250 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 20.1mm | |
| 系列 | QFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 33 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 90 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 227 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1250 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 100 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 15.8mm | ||
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 20.1mm | ||
系列 QFET | ||