FDB050AN06A0 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=60 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 809-0809
- 制造商零件编号:
- FDB050AN06A0
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
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RMB40.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB20.20 | RMB40.40 |
| 10 - 18 | RMB16.525 | RMB33.05 |
| 20 - 98 | RMB16.20 | RMB32.40 |
| 100 - 198 | RMB13.565 | RMB27.13 |
| 200 + | RMB13.30 | RMB26.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-0809
- 制造商零件编号:
- FDB050AN06A0
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 245 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 4.83 | |
| 长度 | 10.67 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 245 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 4.83 | ||
长度 10.67 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 | ||
汽车标准 否 | ||