FDB8896 , N沟道 MOSFET 晶体管, 93 A, Vds=30 V, 3针 TO-263AB封装
- RS 库存编号:
- 809-0824P
- 制造商零件编号:
- FDB8896
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
RMB223.25
(不含税)
RMB252.25
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB8.93 |
| 50 - 245 | RMB7.26 |
| 250 - 495 | RMB6.072 |
| 500 + | RMB5.214 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-0824P
- 制造商零件编号:
- FDB8896
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 93 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 9.4 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 58 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 167 ns | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2525 pF @ 15 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 93 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 9.4 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 80 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 58 ns | ||
典型接通延迟时间 167 ns | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.7mm | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2525 pF @ 15 V | ||
高度 1mm | ||