FDC642P , P沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=-20 V, 6针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 809-0865
- 制造商零件编号:
- FDC642P
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.18 | RMB63.60 |
| 100 - 180 | RMB2.11 | RMB42.20 |
| 200 - 980 | RMB1.991 | RMB39.82 |
| 1000 - 1980 | RMB1.63 | RMB32.60 |
| 2000 + | RMB1.414 | RMB28.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-0865
- 制造商零件编号:
- FDC642P
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 1.6 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3 | |
| 宽度 | 1.7 | |
| 高度 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4 | ||
最大漏源电压 Vd 20 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 12 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 1.6 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 3 | ||
宽度 1.7 | ||
高度 1 | ||
汽车标准 否 | ||