ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685, 8.4 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
- RS 库存编号:
- 809-0893
- 制造商零件编号:
- FDD4685
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.049 | RMB60.49 |
| 50 - 90 | RMB5.93 | RMB59.30 |
| 100 - 490 | RMB4.71 | RMB47.10 |
| 500 - 990 | RMB4.30 | RMB43.00 |
| 1000 + | RMB3.29 | RMB32.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-0893
- 制造商零件编号:
- FDD4685
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.4 | |
| 最大漏源电压 Vd | 40 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19 | |
| 最大功耗 Pd | 69 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.39 | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 8.4 | ||
最大漏源电压 Vd 40 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19 | ||
最大功耗 Pd 69 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 6.73 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.39 | ||
宽度 6.22 | ||
汽车标准 否 | ||