FDD5353 , N沟道 MOSFET 晶体管, 11.5 A, Vds=60 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 809-0896
- 制造商零件编号:
- FDD5353
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB53.00
(不含税)
RMB59.90
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.60 | RMB53.00 |
| 25 - 45 | RMB8.344 | RMB41.72 |
| 50 - 245 | RMB8.18 | RMB40.90 |
| 250 - 495 | RMB6.54 | RMB32.70 |
| 500 + | RMB5.96 | RMB29.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-0896
- 制造商零件编号:
- FDD5353
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 69 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.39 | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 11.5 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 69 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 6.73 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.39 | ||
宽度 6.22 | ||
汽车标准 否 | ||