VNP14NV04-E N沟道 MOSFET 晶体管, 75 μA, Vds=55 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 809-1332P
- 制造商零件编号:
- VNP14NV04-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB12.716 |
| 100 - 245 | RMB10.80 |
| 250 - 495 | RMB9.768 |
| 500 + | RMB8.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-1332P
- 制造商零件编号:
- VNP14NV04-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 70 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 80 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 系列 | OMNIFET | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 典型关断延迟时间 | 450 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 70 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
宽度 9.35mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 80 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
长度 10.4mm | ||
系列 OMNIFET | ||
高度 4.6mm | ||
典型关断延迟时间 450 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN