FDA24N50 , N沟道 MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=500 V, 2针 TO-3PN封装
- RS 库存编号:
- 809-5075
- 制造商零件编号:
- FDA24N50
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB25.00 | RMB50.00 |
| 10 - 18 | RMB20.50 | RMB41.00 |
| 20 - 98 | RMB20.10 | RMB40.20 |
| 100 - 198 | RMB16.83 | RMB33.66 |
| 200 + | RMB16.50 | RMB33.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-5075
- 制造商零件编号:
- FDA24N50
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 高电压 | |
| 最大功率耗散 | 270 W | |
| 典型接通延迟时间 | 47 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3120 pF @ 25 V | |
| 宽度 | 5mm | |
| 典型关断延迟时间 | 164 ns | |
| 高度 | 20.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | UniFET | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 2 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 高电压 | ||
最大功率耗散 270 W | ||
典型接通延迟时间 47 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 65 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3120 pF @ 25 V | ||
宽度 5mm | ||
典型关断延迟时间 164 ns | ||
高度 20.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.8mm | ||
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
系列 UniFET | ||
每片芯片元件数目 1 | ||