C2M0080120D , N沟道 SiC MOSFET 晶体管, 31.6 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 809-8991P
- 制造商零件编号:
- C2M0080120D
- 制造商:
- Cree
可享批量折扣
小计 5 件 (按管提供)*
RMB736.50
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RMB832.25
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB147.30 |
| 10 - 14 | RMB144.41 |
| 15 - 29 | RMB141.58 |
| 30 + | RMB138.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-8991P
- 制造商零件编号:
- C2M0080120D
- 制造商:
- Cree
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Cree | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 208 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.7V | |
| 最大栅源电压 | -10 V, +25 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 208 W | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 典型关断延迟时间 | 23.2 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 950 pF @ 1000 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49.2 nC @ 20 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Cree | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
最大漏源电阻值 208 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.2V | ||
最小栅阈值电压 1.7V | ||
最大栅源电压 -10 V, +25 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 208 W | ||
长度 16.13mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.21mm | ||
典型关断延迟时间 23.2 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 21.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 950 pF @ 1000 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 49.2 nC @ 20 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 SiC | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN