CMF10120D , N沟道 SiC MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 809-8995
- 制造商零件编号:
- CMF10120D
- 制造商:
- Cree
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB141.73 |
| 5 - 9 | RMB138.95 |
| 10 - 14 | RMB136.23 |
| 15 - 29 | RMB133.56 |
| 30 + | RMB130.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-8995
- 制造商零件编号:
- CMF10120D
- 制造商:
- Cree
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Cree | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.1V | |
| 最大栅源电压 | -5 V、+25 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 134 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 47.1 nC @ 20 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 928 pF @ 800 V | |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8.8 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Cree | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
最大漏源电阻值 240 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4.1V | ||
最小栅阈值电压 3.1V | ||
最大栅源电压 -5 V、+25 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 134 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 47.1 nC @ 20 V | ||
典型输入电容值@Vds 928 pF @ 800 V | ||
典型关断延迟时间 38 ns | ||
宽度 5.21mm | ||
典型接通延迟时间 8.8 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 16.13mm | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
高度 21.1mm | ||
晶体管材料 SiC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN