SI1869DH-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 1.2 A, Vds=-20 V, 6针 SC70封装
- RS 库存编号:
- 812-3097P
- 制造商零件编号:
- SI1869DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 300 - 580 | RMB2.244 |
| 600 - 1480 | RMB1.96 |
| 1500 - 2980 | RMB1.687 |
| 3000 + | RMB1.654 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3097P
- 制造商零件编号:
- SI1869DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SC-70 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SC-70 | ||
引脚数目 6 | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
宽度 1.35mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN