SI2323DDS-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 4.3 A, Vds=-20 V, 3针 TO-236封装
- RS 库存编号:
- 812-3110
- 制造商零件编号:
- SI2323DDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB49.72
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | RMB2.486 | RMB49.72 |
| 300 - 580 | RMB2.20 | RMB44.00 |
| 600 - 1480 | RMB1.98 | RMB39.60 |
| 1500 - 2980 | RMB1.63 | RMB32.60 |
| 3000 + | RMB1.29 | RMB25.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3110
- 制造商零件编号:
- SI2323DDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.3 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20 | |
| 系列 | Si2323DDS | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24 | |
| 最大功耗 Pd | 1.7 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | -0.79 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 1.4 | |
| 高度 | 1.02 | |
| 长度 | 3.04 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 4.3 | ||
最大漏源电压 Vd 20 | ||
系列 Si2323DDS | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 8 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24 | ||
最大功耗 Pd 1.7 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf -0.79 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 1.4 | ||
高度 1.02 | ||
长度 3.04 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN