SI2377EDS-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.5 A, Vds=-20 V, 3针 TO-236封装

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RS 库存编号:
812-3145P
制造商零件编号:
SI2377EDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.5

最大漏源电压 Vd

20

包装类型

SOT-23

系列

Si2377EDS

安装类型

表面安装

引脚数目

3

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.8

最低工作温度

-55

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14

最大功耗 Pd

1.8

最大栅源电压 Vgs

8

最高工作温度

150

宽度

1.4

长度

3.04

高度

1.02

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN