SI3900DV-T1-GE3, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=20 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 812-3170P
- 制造商零件编号:
- SI3900DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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RMB1,380.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 300 - 580 | RMB4.07 |
| 600 - 1480 | RMB3.432 |
| 1500 - 2980 | RMB3.12 |
| 3000 + | RMB2.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3170P
- 制造商零件编号:
- SI3900DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 830 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 830 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
长度 3.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
宽度 1.7mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN