SI4178DY-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 812-3205
- 制造商零件编号:
- SI4178DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB58.30
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RMB65.88
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.915 | RMB58.30 |
| 100 - 480 | RMB2.651 | RMB53.02 |
| 500 - 1480 | RMB2.255 | RMB45.10 |
| 1500 - 2480 | RMB1.82 | RMB36.40 |
| 2500 + | RMB1.60 | RMB32.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3205
- 制造商零件编号:
- SI4178DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | Si4178DY | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5 | |
| 最大功耗 Pd | 5 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 0.85 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.55 | |
| 长度 | 5 | |
| 宽度 | 4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 Si4178DY | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5 | ||
最大功耗 Pd 5 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 0.85 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.55 | ||
长度 5 | ||
宽度 4 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN