SI4599DY-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 812-3233
- 制造商零件编号:
- SI4599DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 500 - 1480 | RMB3.00 | RMB60.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3233
- 制造商零件编号:
- SI4599DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A，6.8 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 42.5 mΩ、62 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3 W, 3.1 W | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.55mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns、44 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.7 nC @ 10 V，25 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 16 ns, 28 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 640 pF@ 20 V, 970 pF@ -20 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 4.7 A，6.8 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 42.5 mΩ、62 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3 W, 3.1 W | ||
高度 1.55mm | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.55mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 16 ns、44 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V，25 nC @ 10 V | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 16 ns, 28 ns | ||
典型输入电容值@Vds 640 pF@ 20 V, 970 pF@ -20 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN