SIHL640STRL-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 17 A, Vds=200 V, 3 + Tab针 SMD-220封装
- RS 库存编号:
- 813-0705
- 制造商零件编号:
- SIHL640STRL-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB67.30
(不含税)
RMB76.05
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB13.46 | RMB67.30 |
| 100 - 195 | RMB12.236 | RMB61.18 |
| 200 - 395 | RMB10.35 | RMB51.75 |
| 400 - 795 | RMB9.628 | RMB48.14 |
| 800 + | RMB8.986 | RMB44.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 813-0705
- 制造商零件编号:
- SIHL640STRL-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 270 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | SMD-220 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 1800 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 66 nC @ 5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 270 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 SMD-220 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
典型输入电容值@Vds 1800 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 44 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN