SIA533EDJ-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 SC-70封装
- RS 库存编号:
- 814-1229P
- 制造商零件编号:
- SIA533EDJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 300 - 580 | RMB2.176 |
| 600 - 1480 | RMB1.843 |
| 1500 - 2980 | RMB1.632 |
| 3000 + | RMB1.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1229P
- 制造商零件编号:
- SIA533EDJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 70 mΩ，215 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 7.8 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns、15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V，13 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.15 x 2.15 x 0.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 420 pF@ 6 V, 545 pF@ -6 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns, 25 ns | |
| 宽度 | 2.15mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 2.15mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 12 V | ||
最大漏源电阻值 70 mΩ，215 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 7.8 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 10 ns、15 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V，13 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.15 x 2.15 x 0.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 420 pF@ 6 V, 545 pF@ -6 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns, 25 ns | ||
宽度 2.15mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.8mm | ||
长度 2.15mm | ||