SIB452DK-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.67 A, Vds=190 V, 6针 SC-75封装
- RS 库存编号:
- 814-1253
- 制造商零件编号:
- SIB452DK-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB67.32
(不含税)
RMB76.08
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | RMB3.366 | RMB67.32 |
| 300 - 580 | RMB3.003 | RMB60.06 |
| 600 - 1480 | RMB2.61 | RMB52.20 |
| 1500 - 2980 | RMB2.442 | RMB48.84 |
| 3000 + | RMB2.079 | RMB41.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1253
- 制造商零件编号:
- SIB452DK-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 670 mA | |
| 最大漏源电压 | 190 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | SC-75 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 13 W | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 135 pF @ 50 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.7 x 0.8mm | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 670 mA | ||
最大漏源电压 190 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 SC-75 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 13 W | ||
高度 0.8mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V | ||
宽度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.7mm | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
典型输入电容值@Vds 135 pF @ 50 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 1.7 x 1.7 x 0.8mm | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN