Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 23 A, PowerPAK SO-8, 贴片安装, 8引脚, SIR418DP-T1-GE3

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814-1275
制造商零件编号:
SIR418DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

23

最大漏源电压 Vd

40

系列

SiR418DP

包装类型

SO-8

安装类型

表面安装

引脚数目

8

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20

正向电压 Vf

0.71

最低工作温度

-55

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50

最大功耗 Pd

39

最高工作温度

150

宽度

5.26

标准/认证

No

长度

6.25

高度

1.12

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN