SIR862DP-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 32 A, Vds=25 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 814-1297
- 制造商零件编号:
- SIR862DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB74.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 290 | RMB7.42 | RMB74.20 |
| 300 - 590 | RMB5.75 | RMB57.50 |
| 600 - 1490 | RMB5.08 | RMB50.80 |
| 1500 - 2990 | RMB4.135 | RMB41.35 |
| 3000 + | RMB4.054 | RMB40.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1297
- 制造商零件编号:
- SIR862DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 32 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 69 W | |
| 宽度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 39 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3800 pF @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 5.99 x 5 x 1.12mm | |
| 长度 | 5.99mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 32 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 3.5 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK SO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 69 W | ||
宽度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 39 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3800 pF @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 28 ns | ||
高度 1.12mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 5.99 x 5 x 1.12mm | ||
长度 5.99mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN