SIS435DNT-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 22 A, Vds=-20 V, 8针 PowerPAK封装
- RS 库存编号:
- 814-1317P
- 制造商零件编号:
- SIS435DNT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计 300 件 (以卷装提供)*
RMB858.00
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RMB969.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 300 - 580 | RMB2.86 |
| 600 - 1480 | RMB2.585 |
| 1500 - 2980 | RMB2.09 |
| 3000 + | RMB1.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1317P
- 制造商零件编号:
- SIS435DNT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 22 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 39 W | |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.8mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 40 ns | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 5700 pF @ -10V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 98 nC @ 8 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 22 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 14 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 39 W | ||
尺寸 3.15 x 3.15 x 0.8mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 40 ns | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.4mm | ||
典型关断延迟时间 110 ns | ||
典型输入电容值@Vds 5700 pF @ -10V | ||
典型栅极电荷@Vgs 98 nC @ 8 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 3.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW