SIHF640L-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=200 V, 3针 TO-262封装
- RS 库存编号:
- 815-2635P
- 制造商零件编号:
- SIHF640L-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 240 | RMB8.626 |
| 250 - 490 | RMB7.302 |
| 500 - 990 | RMB6.78 |
| 1000 + | RMB6.329 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 815-2635P
- 制造商零件编号:
- SIHF640L-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18 | |
| 最大漏源电压 Vd | 200 | |
| 系列 | SiHF640L | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 2 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 70 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 130 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 4.83 | |
| 高度 | 11.3 | |
| 长度 | 10.67 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 18 | ||
最大漏源电压 Vd 200 | ||
系列 SiHF640L | ||
包装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 2 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 130 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 4.83 | ||
高度 11.3 | ||
长度 10.67 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN