IRFI9Z14GPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.8 A, Vds=-60 V, 3针 TO-220FP封装
- RS 库存编号:
- 815-2718
- 制造商零件编号:
- IRFI9Z14GPBF
- 制造商:
- Vishay
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RMB121.88
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB12.188 | RMB121.88 |
| 100 - 240 | RMB10.824 | RMB108.24 |
| 250 - 490 | RMB8.48 | RMB84.80 |
| 500 - 990 | RMB7.40 | RMB74.00 |
| 1000 + | RMB6.92 | RMB69.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 815-2718
- 制造商零件编号:
- IRFI9Z14GPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 500 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 27 W | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF @ -25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 9.6 ns | |
| 高度 | 16.12mm | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.63 x 4.83 x 16.12mm | |
| 长度 | 10.63mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 500 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 27 W | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 270 pF @ -25 V | ||
典型关断延迟时间 9.6 ns | ||
高度 16.12mm | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm | ||
长度 10.63mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN