NX3008CBKV,115 Dual N/P-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia
- RS 库存编号:
- 816-0567
- 制造商零件编号:
- NX3008CBKV
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB47.75
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RMB53.95
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.955 | RMB47.75 |
| 100 - 200 | RMB0.805 | RMB40.25 |
| 250 - 950 | RMB0.686 | RMB34.30 |
| 1000 - 3950 | RMB0.613 | RMB30.65 |
| 4000 + | RMB0.547 | RMB27.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 816-0567
- 制造商零件编号:
- NX3008CBKV
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 220 mA，400 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.8 Ω、7.8 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-666 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns、38 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.52 nC @ 4.5 V，0.55 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 31 pF@ -15 V, 34 pF@ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 130 ns, 138 ns | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 220 mA，400 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 2.8 Ω、7.8 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-666 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.3mm | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 30 ns、38 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.52 nC @ 4.5 V，0.55 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 31 pF@ -15 V, 34 pF@ 15 V | ||
典型关断延迟时间 130 ns, 138 ns | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY