NX3008PBKS, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 0.2 A, Vds=-30 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 816-0573
- 制造商零件编号:
- NX3008PBKS
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计(1 包,共 75 件)*
RMB62.25
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RMB70.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | RMB0.83 | RMB62.25 |
| 150 - 450 | RMB0.70 | RMB52.50 |
| 525 - 900 | RMB0.541 | RMB40.58 |
| 975 - 2925 | RMB0.53 | RMB39.75 |
| 3000 + | RMB0.472 | RMB35.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 816-0573
- 制造商零件编号:
- NX3008PBKS
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 990 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.55 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 31 pF @ -15 V | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 65 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 6.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 990 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.55 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 31 pF @ -15 V | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
典型关断延迟时间 65 ns | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.35mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
