PMDT290UCE,115 Dual N/P-Channel MOSFET, 550 mA, 20 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia
- RS 库存编号:
- 816-6814
- 制造商零件编号:
- PMDT290UCE
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 40 件）*
RMB45.60
(不含税)
RMB51.60
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 40 - 40 | RMB1.14 | RMB45.60 |
| 80 - 120 | RMB1.117 | RMB44.68 |
| 160 - 480 | RMB1.029 | RMB41.16 |
| 520 - 3960 | RMB0.902 | RMB36.08 |
| 4000 + | RMB0.723 | RMB28.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 816-6814
- 制造商零件编号:
- PMDT290UCE
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 550 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ，850 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.95V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | +8 V | |
| 封装类型 | SOT-666 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 390 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 55 pF@ 10 V，58 pF@ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.45 nC @ 4.5 V，0.76 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 典型关断延迟时间 | 80 ns，86 ns | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 550 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 380 mΩ，850 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.95V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 +8 V | ||
封装类型 SOT-666 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 390 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 55 pF@ 10 V，58 pF@ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.45 nC @ 4.5 V，0.76 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.7mm | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
宽度 1.3mm | ||
典型关断延迟时间 80 ns，86 ns | ||
高度 0.6mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||