SI5419DU-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 9.9 A, Vds=-30 V, 8针 PowerPAK ChipFET封装
- RS 库存编号:
- 818-1312
- 制造商零件编号:
- SI5419DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB59.18
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | RMB2.959 | RMB59.18 |
| 300 - 580 | RMB2.51 | RMB50.20 |
| 600 - 1480 | RMB2.18 | RMB43.60 |
| 1500 - 2980 | RMB1.744 | RMB34.88 |
| 3000 + | RMB1.71 | RMB34.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-1312
- 制造商零件编号:
- SI5419DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 9.9 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 31 W | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 宽度 | 1.98mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1400 pF@ -15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 47 ns | |
| 长度 | 3.08mm | |
| 尺寸 | 3.08 x 1.98 x 0.85mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 9.9 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 33 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK ChipFET | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 31 W | ||
高度 0.85mm | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
宽度 1.98mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1400 pF@ -15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 47 ns | ||
长度 3.08mm | ||
尺寸 3.08 x 1.98 x 0.85mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN