Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8针 TSSOP封装
- RS 库存编号:
- 818-1374
- 制造商零件编号:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | RMB3.60 | RMB72.00 |
| 300 - 580 | RMB3.368 | RMB67.36 |
| 600 - 1480 | RMB3.302 | RMB66.04 |
| 1500 - 2980 | RMB3.237 | RMB64.74 |
| 3000 + | RMB3.174 | RMB63.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-1374
- 制造商零件编号:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 30S | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 860 ns | |
| 尺寸 | 4.5 x 3.1 x 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 245 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 30 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1 W | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 30S | ||
宽度 3.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 860 ns | ||
尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 245 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V | ||
长度 4.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW